EE型磁芯如何对可控硅进行检测呢

EE型磁芯简述可控硅的检测方法：万用表选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻找出读数为数十欧姆的一对引脚，黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。将黑表笔接已判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K。
万用表指针应不动。用短线瞬间短接阳极A和控制极G，万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。
可控硅能在高电压、大电流条件下工作，具有耐压高、容量大、体积小等优点，是大功率开关型半导体器件，广泛应用在电力、电子线路中。EE型磁芯广泛应用于程控交换机电源、液晶显示屏电源、大功率UPS逆变器电源、计算机电源、节能灯等领域。

EE型磁芯主要用于高频变压器，按工作频率高低，可分为几个档次：10kHz- 50kHz、50kHz-100kHz、100kHz～500kHz、500kHz～1MHz、1MHz以上。传送功率比较大的情况下，功率器件一般采用 IGBT，由于IGBT存在关断电流拖尾现象，所以工作频率比较低;传送功率比较小的，可以采用MOSFET，工作频率就比较高。
补充知识：为大家介绍一下EE、EEL、EF型功率磁芯的区别：EE是卧式磁芯、EF是立式磁芯、EEL是硅钢片磁芯。
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